１．

• 【発明者】
• 湯之上隆、水谷巽
• 【発明の名称】
• フォトン数の測定方法
• 【出願番号】
• 特願昭63-270660（1988年10月28日出願）、特開平02-118421（1990年5月2日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• プラズマ中の可視光を測定することにより、真空紫外光を見積もる方法。

 

２．

• 【発明者】
• 水谷巽、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 表面計測方法及び装置
• 【出願番号】
• 特願平01-145328（1989年6月9日出願）、特開平03-011547（1991年1月18日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、米国
• 【概要】
• 中性粒子線を用いて、無損傷でSiやSiO2などの表面状態を計測する方法。

 

３．

• 【発明者】
• 湯之上隆、水谷巽
• 【発明の名称】
• 表面処理方法及びその装置
• 【出願番号】
• 特願平01180321（1989年7月14日出願）、特開平03-046226（1991年2月27日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、米国、欧州各国
• 【概要】
• 低温では正孔の移動度が極めて小さくなることを利用し、プラズマで誘起された正孔を熱電子照射により消滅させる方法。

 

４．

• 【発明者】
• 水谷巽、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 表面処理装置及び方法
• 【出願番号】
• 特願平02-041004（1990年2月23日出願）
• 【出願国】
• 日本、米国
• 【概要】
• 中性ビームによる半導体の微細加工装置とそのプロセス方法。

 

５．

• 【発明者】
• 梅村馨、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 映像撮影装置
• 【出願番号】
• 特願平02-080740（1990年3月30日出願）、特開平03-283772（1991年12月13日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 水深などを画面に表示できる水中カメラ及びビデオ。

 

６．

• 【発明者】
• 水谷巽、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 固体素子及びその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平02-239823（1990年9月12日出願）、特開平04-120732（1992年4月21日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、米国、欧州各国
• 【概要】
• 中性粒子により酸化膜中の酸素が選択的にスパッタされることを利用して、酸化膜表面を高密度化する方法。

 

７．

• 【発明者】
• 横川賢悦、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 横型低温試料台
• 【出願番号】
• 特願平02-288527（1990年10月29日出願）、特開平04-163915（1992年6月9日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 半導体製造装置用で、０℃以下に試料を冷却できる試料台。

 

８．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• 表面処理方法及びその装置
• 【出願番号】
• 特願平02-337088（1990年10月30日出願）、特開平04-206721（1992年7月28日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 電気的に中性なラジカルビームを用いて、無損傷で半導体を加工する方法及びその装置。

 

９．

• 【発明者】
• 水谷巽、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 表面処理装置及び表面処理方法
• 【出願番号】
• 特願平02-278994（1990年10月19日出願）、特開平04-180621（1992年6月26日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、米国、欧州各国
• 【概要】
• 中性ラジカルのエッチング反応を中性ビームの運動エネルギーがアシストすることにより、低損傷で高速に半導体をエッチングする装置及びプロセスの基本特許。

 

１０．

• 【発明者】
• 湯之上隆、水谷巽
• 【発明の名称】
• 低エネルギー電子を用いた表面処理方法
• 【出願番号】
• 特願平03-138856（1991年6月11日出願）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 電子はプラズモン励起を経由して半導体内に正孔を発生させる。プラズモン励起しない電子線を用いることにより、無損傷な表面処理が可能になる特許。

 

１１．

• 【発明者】
• 湯之上隆、水谷巽
• 【発明の名称】
• 低エネルギー電子を用いた表面処理方法及びその装置
• 【出願番号】
• 特願平03-172181（1991年7月12日出願）、特開平05-055169（1993年3月5日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 低温エッチングを行うと、SiO2中に発生した正孔は動かない。ここにプラズモン励起しないエネルギーの電子を照射して正孔を消滅させ、プラズマダメージを無くす方法及び装置。

 

１２．

• 【発明者】
• 横川賢悦、湯之上隆、水谷巽
• 【発明の名称】
• 原子線、分子線の運動量計測装置
• 【出願番号】
• 特願平04-257766（1992年9月28日出願）、特開平06-109856（1994年4月22日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 原子線や分子線を板状物質に入射させ、板状物質の変動をレーザーでモニタする方法。

 

１３．

• 【発明者】
• 横川賢悦、湯之上隆、水谷巽
• 【発明の名称】
• 加工装置
• 【出願番号】
• 特願平04-249877（1992年9月18日出願）、特開平06-104211（1994年4月15日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• １本の放電管を同心円状に二つの領域に分け、外側内側に同時にプラズマを発生させる。外側からは中性ラジカルを供給し、内側からは中性ビームを供給する中性ビームアシストエッチング装置の基本特許。

 

１４．

• 【発明者】
• 横川賢悦、湯之上隆、水谷巽
• 【発明の名称】
• 荷電粒子の遮断装置
• 【出願番号】
• 特願平05-026455（1993年2月16日出願）、特開平06-244141（1994年9月2日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• プラズマから中性ビームを引き出した際、混入している荷電粒子を除去するための機構を具備した中性ビームアシストエッチング装置。

 

１５．

• 【発明者】
• 横川賢悦、湯之上隆、水谷巽
• 【発明の名称】
• 中性粒子線加工装置
• 【出願番号】
• 特願平05-179596（1993年7月21日出願）、特開平07-037859（1995年2月7日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 中性ビームを引き出し、磁場により混入している荷電粒子を除去するための装置を具備した中性ビームアシストエッチング装置。

１６．

• 【発明者】
• 湯之上隆、水谷巽
• 【発明の名称】
• プラズモン励起アシストエッチング
• 【出願番号】
• 特願平05-268587（1993年10月27日出願）、特開平07-122522（1995年5月12日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 電子のプラズモン励起を利用した半導体の高速、低損傷エッチ方法。

 

１７．

• 【発明者】
• 水谷巽、湯之上隆、横川賢悦
• 【発明の名称】
• 表面処理方法及びその装置
• 【出願番号】
• 特願平05-239350（1993年10月27日出願）、特開平07-094485（1995年4月7日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• ポリSiのプラズマエッチングの際発生するパタン下部の異常形状ノッチを、中性ビームを同時照射することに防止する方法及びその装置。

 

１８．

• 【発明者】
• 小野哲郎、水谷巽、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 表面処理方法
• 【出願番号】
• 特願平05-266068（1993年10月25日出願）、特開平07-122539（1995年5月12日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• フッ素を含む化学種、または水素を含む化学種を解離、吸着させた表面に、20eV以下のイオンビームを供給することにより、選択的に低損傷で酸化膜をエッチングする方法。

 

１９．

• 【発明者】
• 小野哲郎、水谷巽、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 表面処理方法
• 【出願番号】
• 特願平05-314711（1993年12月15日出願）、特開平07-169743（1995年7月4日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• ハロゲンを含む分極分子ビームにより、酸化膜を低損傷で、異方的に加工する方法。

 

２０．

• 【発明者】
• 横川賢悦、湯之上隆、水谷巽
• 【発明の名称】
• エッチング装置
• 【出願番号】
• 特願平06-006185（1994年1月25日出願）、特開平07-211701（1995年8月11日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• ラジカルによるエッチング反応を真空紫外線がアシストする真空紫外線アシストエッチング装置。

 

２１．

• 【発明者】
• 湯之上隆、水谷巽、小野哲郎
• 【発明の名称】
• ケミカルコリメータ
• 【出願番号】
• 特願平06-166511（1994年7月19日出願）、特開平08-031804（1996年2月2日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 混合粒子ビームから、特定の粒子だけを取り出すためのキャピラリープレート状コリメータ。

 

２２．

• 【発明者】
• 水谷巽、湯之上隆、水谷巽、横川賢悦
• 【発明の名称】
• プラズマ処理方法及びその装置
• 【出願番号】
• 特願平06-243676（1994年10月7日出願）、特開平08-111397（1996年4月30日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• プラズマ処理中に試料表面から発生する二次電子や負イオンを試料の上方で検出することにより、プラズマ処理の均一性を高める方法及び装置。

 

２３．

• 【発明者】
• 小藤直行、小野哲郎、横川賢悦、湯之上隆
• 【発明の名称】
• プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
• 【出願番号】
• 特願平06-260007（1994年10月25日出願）、特開平08-124903（1996年5月17日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• ICP放電を用いてECRプラズマ処理装置の内壁を清掃することにより、プラズマ処理装置内壁の清掃の効率を向上させる。

 

２４．

• 【発明者】
• 横川賢悦、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 中性ビーム発生装置
• 【出願番号】
• 特願平07-045257（1995年3月6日出願）、特開平08-241877（1996年9月17日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• プラズマから中性ビームを引き出すマルチアパーチャ電極を高温にすることにより、中性化の効率を増大する装置。

 

２５．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置の製造方法
• 【出願番号】
• 特願平10-505022（1996年7月8日出願）、特開平08-241877（1996年9月17日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国、欧州、PCT出願
• 【概要】
• Ptなどの不揮発性金属をエッチングする際、発光検出窓が反応生成物の堆積で曇ることを防ぐため、キャピラリープレートを用いる発光検出方法。

 

２６．

• 【発明者】
• 湯之上隆、笹部俊二、須向一行
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置の製造方法
• 【出願番号】
• 特願平08-250749（1996年9月20日出願）、特開平10-098162（1998年4月14日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国
• 【概要】
• 頭がラウンドしたレジストマスクを使うことにより、パタン側壁への付着物無く、Ptなどの不揮発性金属をエッチングする方法。

 

２７．

• 【発明者】
• 後醍院弘典、湯之上隆
• 【発明の名称】
• プラズマ処理装置のプラズマ光の検出窓
• 【出願番号】
• 特願平10-041164（1998年2月6日出願）、特開平11-233492（1999年8月27日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• Ptをエッチングする際、発光検出窓が反応生成物の堆積で曇ることを防ぐため、キャピラリープレートを用いる発光検出方法の改良。材質をアルマイトなどで作成する。

 

２８．

• 【発明者】
• 湯之上隆、野尻一男
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平10-282581（1998年10月5日出願）、特開平12-114245（2000年4月21日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国
• 【概要】
• 高速排気、オーバーエッチング時間増大により、高異方性Ruエッチングを行う方法と、これをキャパシタ加工に適用して高集積DRAMを製造する方法。

 

２９．

• 【発明者】
• 井口英里、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置の製造方法及び半導体集積回路装置
• 【出願番号】
• 特願平10-301958（1998年12月11日出願）、特開平12-133783（2000年5月12日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国
• 【概要】
• IrおよびIrO2を側壁付着物無くエッチングし、FeRAMやDRAMを製造する方法。

 

３０．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置の製造方法及び半導体集積回路装置
• 【出願番号】
• 特願平11-017298（1999年1月26日出願）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、PCT
• 【概要】
• 強誘電体キャパシタにダメージを与えること無くAl配線をエッチングし、FeRAMを製造する方法。

 

 

３１．

• 【発明者】
• 湯之上隆、野尻一男、大路譲
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平10-352559（1998年12月11日出願）、特開平12-183303（2000年6月30日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、中国、米国、マレーシア、シンガポール
• 【概要】
• ハードマスクによりRuキャパシタ電極を加工し、ハードマスク除去を行わないでDRAMキャパシタを形成する方法。ハードマスク除去に伴うRu削れ、キャパシタダメージを防止する。

 

３２．

• 【発明者】
• 湯之上隆、野尻一男、恒川助芳
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平11-024452（1999年2月1日出願）、特開平12-223671（2000年8月11日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、中国、米国、マレーシア、シンガポール
• 【概要】
• まずレジストマスクでPtを加工し、このPtをマスクにRuキャパシタ電極を加工することによりDRAMを製造する方法。

 

３３．

• 【発明者】
• 浅野勇、中村吉孝、大路譲、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平11-123927（1999年4月30日出願）、特開平12-315778（2000年11月14日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国
• 【概要】
• DRAMのPt電極キャパシタ形成方法。酸化膜ピラー表面に電界メッキでPt膜を形成し、電極に用いる。

 

３４．

• 【発明者】
• 深田晋一、野尻一男、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 半導体装置及びその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平11-158758（1999年6月4日出願）、特開平12-349150（2000年12月15日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国
• 【概要】
• 新しいCuデユアルダマシン配線加工方法。コンタクト孔を先にあける方法と配線溝を先に加工する方法の中間方法。

 

３５．

• 【発明者】
• 湯之上隆、宇野正一、野尻一男、
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平11-178080（1999年6月24日出願）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国、東南アジア、欧州各国
• 【概要】
• 有機SOGなどの低誘電率膜を、CF系ガス/ArにN２を添加することにより、サブトレンチやダメージ無く加工し、Cuデユアルダマシン配線を形成する方法。本プロセスは、低誘電率膜加工の世界標準となっている。

 

３６．

• 【発明者】
• 宇野正一、湯之上隆、野尻一男
• 【発明の名称】
• 半導体装置の製造方法
• 【出願番号】
• 特願平11-242686（1999年8月30日出願）、特開平13-068455（2001年3月16日公開）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 孔底のSiN膜をエッチングする際、ガス流量を増大することにより、SiNのサイドエッチを防止し、Cu配線を形成する方法。 

３７．

• 【発明者】
• 中村吉孝、浅野勇、山田悟、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平11-320725（1999年11月11日出願）、特開平13-144266（2001年5月25日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国
• 【概要】
• DRAMのRu/BST/Ruキャパシタ構造において、上部電極上にWを積層することにより、コンタクト抵抗を減少させる方法。

 

３８．

• 【発明者】
• 湯之上隆、中村吉孝、野尻一男
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平11-375745（1999年12月28日出願）、特開平13-189303（2001年7月10日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国
• 【概要】
• DRAMのMIMキャパシタのRu下部電極用シリンダー作製方法。孔にRuをCVDで製膜し、孔内をレジストで埋め込んで不要なRuをエッチバックする。レジストはオソンで除去する。

 

３９．

• 【発明者】
• 中原美和子、荒井利行、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 固体表面及び半導体製造装置の処理方法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法
• 【出願番号】
• 特願平12-095197（2000年3月29日出願）、特開平13-284317（2001年10月21日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国
• 【概要】
• オゾンによるRu高速エッチング方法。基板を低温にするとRuのオゾンによる高速エッチングが可能になる。基板を高温にすると、Ruは全く削れず、レジストが高速に除去される。

 

４０．

• 【発明者】
• 湯之上隆、浅野勇、飯島晋平
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平12-262951（2000年8月31日出願）、特開平14-076305（2002年3月15日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国、東南アジア、欧州各国
• 【概要】
• MIMキャパシタの下部電極をRu/TaNの積層膜で構成するDRAM。TaNがRuの剥離とRuの酸化を防止する。

 

４１．

• 【発明者】
• 湯之上隆、浅野勇、飯島晋平
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
• 【出願番号】
• 特願平12-262952（2000年8月31日出願）、特開平14-076306（2002年3月15日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国、東南アジア、欧州各国
• 【概要】
• MIMキャパシタの下部電極をRu/TaNの積層膜で構成するDRAM。TaNがBSTなどの高誘電体膜に接触しないように、ドライエッチングにより故意にリセスさせてキャパシタを作る方法。

 

４２．

• 【発明者】
• 池田武信、田所昌洋、伊沢勝、湯之上隆
• 【発明の名称】
• 半導体集積回路装置の製造方法
• 【出願番号】
• 特願平12-299854（2000年9月29日出願）、特開平14-110647（2002年4月12日公開）
• 【出願国】
• 日本、韓国、台湾、米国、東南アジア、欧州各国
• 【概要】
• C5F8/Ar/O2により、２ステップで、高アスペクト比構造の孔を加工し、DRAMを製造する方法。

 

４３．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• 超微細カーボンピラーの形成方法
• 【出願番号】
• 特願平14-358668（2002年12月10日出願）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• ポーラスSiLKの孔内の堆積物をマスクにSiLKを垂直加工し、ナノサイズのカーボンピラーを形成する方法。

 

４４．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• 半導体装置の製造方法
• 【出願番号】
• 特願平14-372343（2002年12月24日出願）
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• ポーラスLow-K膜の加工の際、側壁に堆積膜を形成することにより、ポーラス膜の劣化を防止し、Cu配線を形成する方法。

 

４５．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• 表面光電圧測定を用いた非接触低誘電率膜ダメージ測定方法
• 【出願番号】
• 出願中
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 表面光電圧測定のヒステリシス現象を用いることにより、非接触で、低誘電率膜のダメージを評価する方法。

 

 

４６．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• 表面光電圧測定を用いた非接触低誘電率膜ダメージ測定方法
• 【出願番号】
• 出願中
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 表面光電圧測定のヒステリシス現象を用いることにより、非接触で、低誘電率膜のダメージを評価する方法。

 

４７．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• 高誘電率ゲート絶縁膜エッチング方法
• 【出願番号】
• 出願中
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 真空紫外線を照射することにより高誘電率膜の結合を切断し、ドライエッチングしやすくする方法。

 

４８．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• 高誘電率ゲート絶縁膜エッチング方法
• 【出願番号】
• 出願中
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 高誘電率膜を水素還元し、更に高温でエッチングする方法。

 

４９．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• 高誘電率ゲート絶縁膜エッチング方法
• 【出願番号】
• 出願中
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 高誘電率膜のデジタルエッチング方法。ラジカル供給、イオン照射を完結的に繰り返し、薄膜高誘電率膜を精度良くエッチングする方法。

 

５０．

• 【発明者】
• 湯之上隆、阪本康弘
• 【発明の名称】
• TFT製造方法
• 【出願番号】
• 出願中
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• コンタクトエッチングによって発生する界面準位や固定正電荷などのダメージを低減するTFT製造技術。

 

５１．

• 【発明者】
• 湯之上隆、笹川慎也
• 【発明の名称】
• TFT製造方法
• 【出願番号】
• 出願中
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• ドープ後のレジスト除去後に発生する残差をアルカリ溶液で除去する方法。

 

５２．

• 【発明者】
• 湯之上隆、岡本悟
• 【発明の名称】
• TFT製造方法
• 【出願番号】
• 出願中
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• 高速排気及び低温エッチングにより、ガラス基板上にデイープサブミクロンＷゲートパタンを形成する方法。

 

５２．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• TFT製造方法
• 【出願番号】
• 出願中
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• Siの(111)面でウエットエッチが停止することを利用し、ガラス基板上にSiのナノオーダー配線を形成する方法。

 

５３．

• 【発明者】
• 湯之上隆
• 【発明の名称】
• TFT製造方法
• 【出願番号】
• 出願中
• 【出願国】
• 日本
• 【概要】
• ガラス上に成膜した低温ポリSiに発生するリッジをArクラスターイオンのラテラルスパッタを利用して平坦化する方法。