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半導体技術の実績

1)学位論文(1件)

 
1.湯之上隆、「プラズマエッチングによる半導体素子の微細化の課題に関する研究開発」、2001年1月23日、京都大学、学位番号 論工博第3564号
 

2)書籍内論文(2件)

 
1.塩嵜忠、宮坂洋一、望月博元、崎山恵三編(1999)『強誘電体メモリ先端プロセス』、サイエンスフォーラム出版、(湯之上隆 第四章2節、「強/高誘電体キャパシタ用Pt電極エッチング」執筆)
 
2.湯之上隆、早矢仕学、野田周一、西森浩友、有門経敏(2003)、「300mmウエハに対応した最小線幅30nmの微細加工技術」、『電子材料12月号別冊 2004年度版超LSI製造・試験装置ガイドブック』、工業調査会、29-46ページ。
 
 

 

3)学術論文(26件)

 
[1] プラズマダメージに関する研究
 
1.Tatsumi Mizutani, Shigeru Nishimatsu and Takashi Yunogami, “Radiation Damage of SiO2/Si by Energetic Neutral Beam and VUV Photons”, Material Research Society (1989) p.605.
 
2.Takashi Yunogami, Tatsumi Mizutani, Keizo Suzuki and Shigeru Nishimatsu,“Radiation Damage in SiO2/Si Induced by VUV Photons, Jpn.J.Appl.Phys.,28 (1989) p.2172.
 
3.Takashi Yunogami, Tatsumi Mizutani, Katsunori Tsujimoto and Keizo Suzuki, “Mechanism of Radiation Damage in SiO2/Si Induced by vuv Photons, Jpn.J.Appl.Phys.,29 (1990) p. 2269.
 
4.Tatsumi Mizutani, Takashi Yunogami and Kazunori Tsujimoto, “Lower Plasma-Induced Damage in SiO2/Si at Lower Temperature”, Appl.Phys.Lett., 57 (1990) p.1654.
 
5.水谷巽、湯之上隆、横川賢悦、「プラズマプロセスによるSiO2/Siの照射損傷」、応用物理、59(1990) p.1496.
 
6.Takashi Yunogami and Tatsumi Mizutani, “Radiation Damage in SiO2/Si Induced by Low-Energy Electrons Via Plasmon Excitation”, J.Appl.Phys.,73 (1993) p.8184.
 
 
[2] 中性ビームエッチングに関する研究
 
7.Tatsumi Mizutani, and Takashi Yunogami, “Neutral-Beam-Assisted Etching of SiO2”, Jpn.J.Appl.Phys.,29 (1990) p.2220.
 
8.Takashi Yunogami, Ken’etsu Yokogawa and Tatsumi Mizutani, “Development of Neutral-Beam-Assisted Etcher”, J.Vac.Sci.Tech.,A13 (1995) p.952.
 
9.横川賢悦、湯之上隆、水谷巽、「中性ビームアシストエッチング技術の開発」、信学技法 TECHNICAL REPORT OF IEICE, SDM95-146 (1995) p.9.
 
10.Ken’estsu Yokogawa, Takashi Yunogami and Tatsumi Mizutani, “Neutral-Beam-Assisted Etching System for Low-Damage SiO2 Etching of 8-Inch Wafers”, Jpn.J.Appl.Phys.,35 (1996) p.1901.
 
 
[3] DRAMおよびFeRAM用キャパシタに関する研究
 
11.Takashi Yunogami, Hisayuki Kato and Sasabe Syunji, “Sidewall-Fence-Free Pt Etching Using Round Head Resist Mask by Magnetron-RIE”, DRY PROCESS. (1997) p.211.
 
12.Takashi Yunogami, “Sidewall-Fence-Free Pt Etching Using Round Head Resist Mask by Magnetron-RIE”, DRY PROCESS.(1998) p.117.
 
13.Takashi Yunogami and Takao Kumihashi, “Sub-Quarter-Micron Pt Etching Technology Using Electron Beam Resist with Round-Head”, Jpn.J.Appl.Phys.,37 (1998) p. 6934.
 
14.湯之上隆、「強/高誘電体キャパシタ用Pt電極エッチング」、月刊Semiconductor World 11月号(1998)p.68.
 
15.Takshi Yunogami and Kazuo Nojiri, “Anisotropic etching of RuO2/Ru with high aspect ratio for Giga-bit-DRAM”, J.Vac.Sci.Tech.,B18 (2000) p.1.
 
16.Sukeyoshi Tsunekawa, Miwako Nakahara, Toshiyuki Arai, Kazuhito Watanabe, Keiji Kuroki, and Takshi Yunogami, “High-rate and high-selective Ru etching using O3 gas”, DRY PROCESS. (2001) 37.
 
17.Miwako Nakahara, Sukeyoshi Tsunekawa, Kazuhito Watanabe, Toshiyuki Arai, Keiji Kuroki, and Takashi Yunogami, “Etching Technique for Ruthenium with a High Etch Rate and High Selectivity Using Ozone Gas”, J.Vac.Sci.Tech.,B19 (2002) p.2133.
 
 
[4] Cu配線に関する研究
 
18.Shouichi Uno, Takashi Yunogami, Kazutami Tago, Atsushi Maekawa, Shutaro Machida Takafumi Tokunaga and Kazuo Nojiri, “Highly Selective Etching of Organic SOG to SiN for Cu Damascene Interconnects Using New Gas Chemistry of C4F8/N2/Ar”, DRY PROCESS. (1999) p.215.
 
19.Takshi Yunogami, Kazuaki Inukai, Isao Matsumoto, Bao Vu, Makoto Ikarashi and Koichiro Kawamura, “Development of the damage evaluation technology of a low-k film by surface photo voltage”, International Symposium on Plasma- & Process-Induced Damage (2002) p.22.
 
 
[5]  長岡技大における研究
 
20.Takehiko Honzawa, Tsuneo Suzuki, Makoto Hirai, Takashi Yunogami, Hisayuki Suematsu, Weihua Jiang, Jiang Koematsu, and Kiyoshi Yatsui: “Enlargement of Compositionally Gradient Area in Si―Ge Thin Films Prepared by Ion-Beam Evaporation”, Trans. Mater. Res. Soc. Jpn, 29, (2004) pp. 651 – 654 .
 
21.Hideaki Kawahara, Hiroaki Shishido, Hideki Yanagi, Takashi Yunogami, Tsuneo Suzuki, Hisayuki Suemasu, Weihua Jiang, and Kiyoshi Yatsui: “Elucidation of Droplet Development Process in Al Thin Films Prepared by Ion-Beam Evaporation”, Trans. Mater. Res. Soc. Jpn, 29, (2004) pp. 647 – 650.
 
22.Naoya Honda, Tsuneo Suzuki, Takashi Yunogami, Hisayuki Suematsu, Weihua Jiang and Kiyoshi Yatsui, “Preparation of Compositionally Gradient Ba-Sr-Al-O Thin Film by Ion-Beam Evaporation”, Trans. Mater. Res. Soc. Jpn, Vol.30, No.3 (2005) p.769.
 
23.Hiroaki Shishido, Hideki Yanagi, Hideki Kawahara, Tsuneo Suzuki, Takashi Yunogami, Hisayuki Suematsu, Weihua Jiang and Kiyoshi Yatsui, "Extinction of Large Droplets in Ion-Beam Ablation Plasma Produced by Ion-Beam Evaporation", Japanese Journal of Applied Physics 44 (2005) pp. 698-700.
 
24.Takayuki Kamekawa, Hiroki Asami, Tsuneo Suzuki, Tadachika Nakayama, Hisayuki Suematsu, Takashi Yunogami, and Koichi Niihara, "(Ni,Cu)O Phase in Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition", Japanese Journal of Applied Physics 47 (2008) pp. 584-587.
 
 
[6] その他
 
25.Takashi Yunogami, “Requests to Etching Equipment Suppliers from Semiconductor Manufacturing Company”, SEMI Technology Symposium (STS) (2001) p.7-3.
 
26.井田徹、西森浩友、天井秀美編、湯之上隆著(ドライエッチング技術執筆)、「90nm、65nm、50nm…、半導体プロセス&装置技術 現状、新技術、将来に向けた提言」、日経マイクロデバイス2002年12月号、別冊「セミコンジャパン2002 NAVIGATOR」
 
 

 

4)学会発表および講演(54件)

 
[1] プラズマダメージに関する研究
 
1.Tatsumi Mizutani, Shigeru Nishimatsu and Takashi Yunogami”, Radiation Damage of SiO2/Si by Energetic Neutral Beam and VUV Photons, Material Research Society, Boston (1989) p.605.
 
2.Takashi Yunogami, Tatsumi Mizutani, Keizo Suzuki and Shigeru Nishimatsu, “Radiation Damage in SiO2/Si Induced By VUV Photons”, International Microprocess and Nanotechnology, Kobe (1989).
 
3.Tatsumi Mizutani, Takashi Yunogami and Keizo Suzuki, “Radiation Damage of SiO2/Si by Energetic Particles in Plasma and Neutral Beam Etching”, JSPC-3, JCSPC-2, Japan (1990).
 
4.Takashi Yunogami, Tatsumi Mizutani, Kazunori Tsujimoto and Shigeru Nishimatsu, “Mechanism of Radiation Damage in SiO2/Si Induced By VUV Photons”, International Microprocess and Nanotechnology, Chiba (1990).
 
5.Takashi Yunogami and Tatsumi Mizutani, “Radiation Damage in SiO2/Si Induced By Low-Energy Electron via Plasmon Excitation”, International Microprocess and Nanotechnology, Kanazawa (1991).
 
6.Takashi Yunogami and Tatsumi Mizutani, “Radiation Damage in SiO2/Si Induced By Low-Energy Electron”, Material Research Society, Boston (1991).
 
7.湯之上隆,水谷巽,鈴木敬三,西松茂、「マイクロ波プラズマ中で発生するVUV強度の絶対測定とSiO2/Si基板への照射損傷」、第36回応用物理学会関係連合講演会(1989年春季)
 
8.水谷巽,湯之上隆,西松茂、「イオン,中性粒子,真空紫外線によるSiO2への照射損傷」、第36回応用物理学会関係連合講演会(1989年春季)
 
9.湯之上隆,水谷巽,辻本和典,西松茂、「真空紫外線によるSiO2/Siへの照射損傷発生機構」、第37回応用物理学会関係連合講演会(1990年春季)
 
10.湯之上隆,水谷巽、「低エネルギー電子によるSiO2/Siへの照射損傷」、第52回応用物理学会学術講演会(1991年秋季)
 
11.湯之上隆、「SiO2/Siへのプラズマ誘起損傷と中性ビームエッチング」、東北大学流体化学研究所・特別講演会(2002年1月、招待講演)
 
12.有門経敏、湯之上隆、塙哲郎、「半導体プロセスにおけるプラズマとそのダメージ」、第20回プラズマプロセシング研究会(SPP-20)(2003年1月)
 
 
[2] 中性ビームエッチングに関する研究
 
13.Tatsumi Mizutani, Takashi Yunogami and Keizo Suzuki, “Netral Beam Etching -A Novel Method for Low Damage Surface Process-“, European Vacuum Conference, France (1990)
 
14.Tatsumi Mizutani and Takashi Yunogami, “Neutral Beam Assisted Etching -A Charge-Free Etching Process-“, International Microprocess and Nanotechnology, Chiba (1990)
 
15.Tatsumi Mizutani, and Takashi Yunogami, “Low-Damage Etching and Surface Modification by Low-Energy Neutral Beams”, International Workshop on Science and Technology for Surface Reaction Process, Tokyo (1992)
 
16.Tatsumi Mizutani, Takashi Yunogami and Ken'etsu Yokogawa, “Technological Aspects of Radiation Effects in Insulators”, Radiation Effects in Insulators-7, France (1993)
 
17.Takashi Yunogami, Ken'etsu Yokogawa and Tatsumi Mizutan, “Neutral-Beam-Assisted Etching”, American Vacuum Society,Denver (1994) (Invited)
 
18.水谷巽,湯之上隆、「中性ビームアシストエッチング」、第51回応用物理学会学術講演会(1990年秋季)
 
19.湯之上隆,横川賢悦,松島勝,田邊尚男,金友正文,水谷巽、「同軸型中性ビームアシストエッチング装置」、第54回応用物理学会学術講演会(1993年秋季)
 
20.横川賢悦,湯之上隆,水谷巽、「中性ビームアシストエッチングにおけるプラズマ形成方式の検討」、第55回応用物理学会学術講演会(1994年秋季)
 
21.横川賢悦,湯之上隆,水谷巽、「タンデム型中性ビームアシストエッチングによるSiO2膜エッチング特性」、第42回応用物理学会関係連合講演会(1995年春季)
 
22.横川賢悦,湯之上隆,水谷巽、「大口径タンデム型中性ビームアシストエッチング装置の開発」、第56回応用物理学会学術講演会(1995年秋季)
 
23.湯之上隆、「SiO2/Siへのプラズマ誘起損傷と中性ビームエッチング」、長岡技術科学大学・特別講演会(2003年1月、招待講演)
 
 

 
[3] DRAMおよびFeRAM用キャパシタに関する研究
 
24.Takashi Yunogami Hisayuki Kato and Syuni Sasabe, “Sidewall-Fence-Free Pt Etching Using Round Head Resist Mask By Magnetron RIE”, INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON DRY PROCESS, Tokyo (1997)
 
25.Takashi Yunogami, “The Generation Mechanism of Sidewall-Fence By Pt Etchig”, INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON DRY PROCESS, Tokyo (1998)
 
26.Takashi Yunogami and Takao Kumihashi, “Sub-Qarter-Micron Pt Etching Using Round Head Electron Beam Resist with Round-Head”, International Microprocess and Nanotechnology, Korea (1998)
 
27.Takashi Yunogami and Kazuo Nojiri, “High Aspect Ratio RuO2/Ru Etching for 1G-DRAM Capacitor”, Electron Ion Photon Beam Nanofabrication, Florida (1999)
 
28.Sukeyoshi Tsunekawa, Miwako Nakahara, Toshiyuki Arai, Kazuhito Watanabe, keiji Kuroki, and Takshi Yunogami, “High-rate and high-selective Ru etching using O3 gas”, INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON DRY PROCESS, Tokyo (2001)
 
29.Miwako Nakahara, Sukeyoshi Tshunekawa, Kazuhito Watanabe, Toshiyuki Arai, and Takshi Yunogami, “Etching Technique for Ruthenium with a High Etch Rate and High Selectivity Using Ozone Gas”, International Conferences on Microelectronics and Interface, Santa Clara (2001)
 
30.湯之上隆,加藤久幸,笹部俊二、「ラウンドレジストマスクによるPt及びPZTエッチング技術」、第58回応用物理学会学術講演会(1997年秋季)
 
31.湯之上隆,組橋孝生、「クオーターミクロンEBレジストによるPtエッチング」、第45回応用物理学会関係連合講演会(1998年春季)
 
32.湯之上隆、「Ptエッチングによって発生する側壁付着物形成原理」、第59回応用物理学会学術講演会(1998年秋季)
 
33.湯之上隆、「ラウンドレジストマスクによるPZTエッチング」、第46回応用物理学会関係連合講演会(1999年春季)
 
34.湯之上隆,野尻一男、「高アスペクト比RuO2/Ruドライエッチング」、第59回応用物理学会学術講演会(1999年秋季)
 
35.湯之上隆、「1G-DRAM用高アスペクト比RuO2/Ruドライエッチング技術の開発」、ラムリサーチテクニカルシンポジウム(2000年、招待講演)
 
36.恒川助芳、渡邊和人、中原美和子、荒井利行、黒木啓二、湯之上隆、「オゾンによるルテニウムの高速、高選択エッチング」、第48回応用物理学会関係連合講演会(2001年春季)
 
 
[4] Cu配線に関する研究
 
37.Shouichi Uno, Takashi Yunogami, Kazutami Tago, Atsushi Maekawa, Shutaro Machida Takafumi Tokunaga and Kazuo Nojiri, “Highly Selective Etching of Organic SOG to SiN for Cu Damascene Interconnects Using New Gas Chemistry of C4F8/N2/Ar”, INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON DRY PROCESS, Tokyo (1999)
 
38.Takshi Yunogami, Kazuaki Inukai, Isao Matsumoto, Bao Vu, Makoto Ikarashi and Koichiro Kawamura, “Development of the damage evaluation technology of a low-k film by SPV”, International Symposium on Plasma- & Process-Induced Damage, Hawaii, USA (2002)
 
39.Takshi Yunogami, “Development of the damage evaluation technology of a low-k film by SPV”, KLA-Tencorセミナー, CA, USA (2002, Invited)
 
40.Takshi Yunogami, “Development of the damage evaluation technology of a low-k film by SPV”, KLA-Tencor YMコンファレンス, CA, USA (2002, Invited)
 
41.福田琢也、大島隆文、青木英雄、丸山裕之、宮崎博史、小西信博、深田晋一、湯之上隆、堀田尚二、前川厚志、日野出憲司、野尻一男、徳永尚文、小林伸好、「有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線」、第14回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会(2000年1月)
 
42.湯之上隆、「表面光電圧測定による非接触Low-Kダメージ評価技術の開発」、ASET研究発表会(2002)
 
43.湯之上隆、犬飼和明、松本功、Bao Vu、五十嵐誠、河村光一郎、「表面光電圧測定による非接触Low-Kダメージ評価技術の開発」、第63回応用物理学会学術講演会(2002年秋季)
 
 
[5] 長岡技大における研究
 
44.川原英樹、宍戸博明、湯之上隆、有門経敏、鈴木常生、末松久幸、江偉華、八井浄、「パルス軽イオンビームによるアブレーション量のターゲット表面粗さ依存性」、電気学会、 PPT-03-33, (2003)、37 - 42ページ。
 
45.Hiroaki Shishido, Hideki Yanagi, Hideki Kawahara,Tsuneo Suzuki, Takashi Yunogami, Hisayuki Suematsu, Weihua Jiang and Kiyoshi Yatsui:"Deposition Process of Aluminum Thin Films by Intense Pulsed Light Ion-Beam Evaporation", Proc. 4th Int'l Symp. on Pulsed Power and Plasma Applications and Int'l Workshop on Applications of Pulsed Power to Nanosized Materials (ISPP2003), ed. by K. Yatsui and W. Jiang, (2003) pp. 324-329.
 
46.K. Yatsui, W. Jiang, H. Suematsu, Yunogami, T. Suzuki, G. Imada, M. Hirai, X. Zhu, “Recent Activities on Pulsed Power Technology at EDI”, 電気学会, PPT-04-54,(2004) p.17.
 
47.H. Shishido, T. Yanagi, H. Kawahara, T. Yunogami, T. Suzuki, H. Suematsu, W. Jiang and K. Yatsui,, “Droplet Generation Process on Thin Films Prepared by Intense Pulsed ion-Beam Evaporation”, Abstract Booklet 2004 Inter. Symp. Organic and Inorganic Electronic mater. Related Nanotechnologies, Jun. 7-10 (2004), Niigata, Japan, p.193.
 
48.N. Honda, T. Suzuki, T. Yunogami, H. Suematsu, W. Jiang and K. Yatsui, "Preparation of SrAl2O4:Eu,Dy Phosphor Thin Films on Organic Substrates by Pulsed Ion-Beam Evaporation", Abstract Booklet 2004 Inter. Symp. Organic and Inorganic Electronic mater. Related Nanotechnologies, Jun. 7-10 (2004), Niigata, Japan, p.192.
 
49.Kiyoshi Yatsui, Weihua Jiang, Hisayuki Suematsu, Takashi Yunogami, Tsuneo Suzuki, Makoto Hirai, “New Applications of Pulsed Ion-Beam Ablation Plasma to Materials Science”, NM1 - Mini-conference on Ion Beam Treatment of Materials, (2004)
 
50.Hiroaki Shishido, Hideki Yanagi, Hideki Kawahara, Tsuneo Suzuki, Takashi Yunogami, Hisayuki Suematsu, “Deposition Process of Aluminum Thin Films by Intense Pulsed Light Ion-Beam”, 電気学会, PST-03-70 PPT-03-60 Evaporation, (2005) p.45.
 
51.Weihua Jiang, Kiyoshi Yatsui (Nagaoka University of Technology)
 
52.T. Yukawa, T. Suzuki, T. Nakayama, T. Yunogami, H. Suematsu, W. Jiang and K. Niihara, The Effect of Ba Substitution on Emission of SrAl2O4:Eu Phosphor, International Symposium on Hybrid Nano Materials Toward Future Industries (HNM 2006).
 
53.H. Yanagi, T. Nakayama, T. Suzuki, H. Suematsu, W. Jiang, T. Yunogami and K. Niihara, “Search for Solid Solubility Limit in the CuO-NiO System”, Abstracts of The Symposium on Hybrid Nano Materials Toward Future Industries (HNM2006), (2006) p. 182
 
 
[6] その他
 
54.Takshi Yunogami, ”Requests to Etching Equipment Suppliers from Semiconductor Manufacturing Company”, SEMI Technology Symposium (STS) (2001) .