♪  半導体技術者の視点で、社会科学の研究を推進中。  ♪  社会科学者の視点で、半導体の技術開発を推進中。  ⇒ 最新記事と講演については、facebookでもお知らせしています。

《微細加工研究所》へようこそ

所長の湯之上隆(ゆのがみたかし)です。
 
半導体技術者と社会科学者の二つの経験を生かして、新聞や雑誌記事の執筆とコンサルタントを行っています。
 
半導体では、微細加工技術者として、16年間に渡り、研究、開発、量産、合弁会社、コンソーシアムのすべての組織に所属しました。
 
その後、5年間は大学で、技術者の視点から、半導体産業の社会科学研究を行いました。
 
趣味は、潜水回数2000本を超えるスクーバダイビング(インストラクター)と2013年から始めたヨガです。

 
  

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Facebookより抜粋

 New !!  【2017年12月9日】 メルマガ

 
 東芝の舛岡冨士雄氏が発明したNANDフラッシュメモリは、現在、高密度化のために3次元化しています。そして、その積層数は、32→48→64(最先端)→96(次世代)となり、2020年までには約200層に達します。
 
 このような高層ビルのような3次元NANDを形成するには、ひたすら深い孔を開けなくてはなりません。孔の直径と深さの比をアスペクト比(AR比)と言いますが、現在65のARを、いずれ100以上にする必要があります。
 
 11月中旬に行われたドライエッチングの国際学会(DPS)では、サムスン電子が、「どうしたらAR>100の孔を開けられるか」について招待講演を行いました。その発表の概要を示し、AR>100の孔を開けるために何が必要かを詳述しました。


【2017年12月1日】 日本ビジネスプレス

 
 11月23日に、NHKドキュメンタリー『ブレイブ 勇敢なる者「硬骨エンジニア」』が放送されました。フラッシュメモリを発明した舛岡冨士雄氏と、東芝がそれをどのようにして事業化したかを、初期の開発メンバを実名で登場させて再現したなまなましい内容です(東芝が良くこの放送を許可したなと思う程です)。
 
 あまりに面白いので録画を3回も見直して、「なぜ舛岡氏はNANDを発明でき、東芝は亜事業化できたか」を考察した記事を書きました。
 
 結論を一言でいうと、「東芝だからできた」ということです。同じメンツが揃っていても、私が所属していた日立では無理だっただろうと思います。