《微細加工研究所》へようこそ

所長の湯之上隆(ゆのがみたかし)です。
 
半導体技術者と社会科学者の二つの経験を生かして、新聞や雑誌記事の執筆とコンサルタントを行っています。
 
半導体では、微細加工技術者として、16年間に渡り、研究、開発、量産、合弁会社、コンソーシアムのすべての組織に所属しました。
 
その後、5年間は大学で、技術者の視点から、半導体産業の社会科学研究を行いました。
 
趣味は、潜水回数2000本を超えるスクーバダイビング(インストラクター)と2013年から始めたヨガです。

 
  

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Facebookより抜粋

 NEW !!  【2018年11月9日】 日本ビジネスプレス


 JBPRESSに「ビンタの応酬! 激化する米中半導体摩擦の行く末」を寄稿しました。

 
 とうとう、米国が中国のDRAMメーカーJHICCに対して、米国製半導体製造装置の輸出規制を行うと発表しました。さらに、JHICCとそれに協力している台湾UMCを技術を盗んだスパイの罪で起訴しました。
 
 記事では、米中の半導体摩擦の経緯を説明し、今回の米国の打撃の意味、衝撃、余波を論じます。
 
 もはやこれは半導体戦争の様相を呈してきました。


 NEW !!  【2018年11月9日】 EE Times Japan 

 
 
 EE Times Japanに『ドライエッチング技術のイノベーション史(5)』として、「最先端のドライエッチング技術-マルチ・パターニングとHARC-」が掲載されました。

 ArF液浸の解像限界は38nmですが、現在マルチ・パターニングによって10~7nmが形成されており、5~3nmも可能と言われています。そのような超微細加工をどのようにして行っているかを解説しました。


 また、3次元NANDでは、サムスン電子がアスペクト比(孔の縦横比、AR比)70を超える深孔加工(HARCと呼ぶ)を実現しており、2020年にAR比100を目指すと発表しています。このようなHARCの加工には、精密な温度コントロールが必要であることを詳述しました。そして、温度制御に優れている米ラムリサーチのドライエッチング装置が、この分野のシェアをほぼ独占しています。


 次回は最終回となりますが、原子層エッチング(ALE)を紹介し、ドライエッチング技術の未来を展望する予定です。


 【2018年11月3日】 メルマガ

 
 「メモリ市場は再爆発する(と思う)」と題するメルマガを配信しました。
 
 メモリ不況がやってくるのは避けられない事態となっていますが、人類が生み出すデータ量が指数関数的に増大している事態を考えると、どうも腑に落ちません。このギャップはどこから来るかを考察しました。
 
 結論は以下の通りです。

 ①仮想通貨のマイニングブームが消滅し、マイニングマシン用を当てにしていたDRAMが良き先を失った。


 ②インテルが10nmの立上に失敗し続けているため、PC用、サーバー用、ベースバンド用、すべてのプロセッサが14nmに集中したことから、プロセッサ供給不足を引き起した。その結果、PCやサーバー用DRAMやNANDが宙に浮いた。

 
 以上の二つの”事件”により、市場にメモリが溢れ、メモリ価格が下落し、その結果、メモリ市況が悪化したと考えました。